Китай настоятельно призывает к национальным усилиям по развитию передовой литографии к 2030 году в условиях технических ограничений США. China urges national effort to develop advanced lithography by 2030 amid U.S. tech restrictions.

Китайские полупроводники настоятельно призывают к объединению национальных усилий по разработке передовых литографических систем к 2030 году, с тем чтобы создать национальную альтернативу ASML. Chinese semiconductor leaders are urging a unified national effort to develop advanced lithography systems by 2030, aiming to create a domestic alternative to ASML. В качестве ключевых проблем они ссылаются на ограничения США в отношении чип-технологий, фрагментацию в промышленности Китая и пробелы в литографии ЕСВ, программном обеспечении EDA и важнейших материалах. They cite U.S. restrictions on chip tech, fragmentation in China’s industry, and gaps in EUV lithography, EDA software, and critical materials as key challenges. Несмотря на прогресс, достигнутый по отдельным компонентам, интеграция остается препятствием. While progress has been made in individual components, integration remains a hurdle. Этот призыв согласуется с призывом Китая добиваться технологической самостоятельности, при этом особое внимание уделяется правительственной поддержке координации научных исследований и платформ НИОКР. The call aligns with China’s push for technological self-reliance, with government support emphasized for research coordination and R&D platforms.