Китайские ученые создали ультраэффективный чип с использованием 1 нм ферроэлектрического материала, что позволяет быстро и с низкой мощностью производить АИ на устройствах. Chinese scientists created a ultra-efficient chip using a 1-nm ferroelectric material, enabling fast, low-power AI processing on devices.

Китайские ученые в Пекинском университете разработали высокоэффективный компьютерный чип с использованием нового ферроэлектрического материала, создающего ультратиновые, однородные фильмы толщиной всего 1 нанометр, которые сохраняют сильные свойства памяти. Chinese scientists at Peking University have developed a high-performance computing-in-memory chip using a novel ferroelectric material, creating ultrathin, uniform films just 1 nanometer thick that maintain strong memory properties. Устройство работает на 0,8 вольт, пишет данные за 20 наносекунд, и выживает на протяжении более 1,5 трлн. циклов перезаписи, превышая текущие стандарты. The device operates at 0.8 volts, writes data in 20 nanoseconds, and survives over 1.5 trillion rewrite cycles—exceeding current standards. Благодаря интегрированию памяти и обработки данных в одну единицу энергии она сокращает потребление энергии и ускоряет расчет, а также обеспечивает совместимость для существующего производства полупроводников. By integrating memory and processing in one unit, it reduces energy use and speeds up computation, with compatibility for existing semiconductor manufacturing. Этот прорыв, опубликованный в журнале Science, мог бы позволить мощной обработке АИ на таких повседневных устройствах, как смартфоны и приборы, и сократить зависимость от облачных вычислений. The breakthrough, published in Science, could enable powerful AI processing on everyday devices like smartphones and appliances, cutting reliance on cloud computing.