ROHM и онсеми запускают новые SIC MOSFET для повышения эффективности ЭМ, солнечной энергии и энергетических систем. ROHM and onsemi launch new SiC MOSFETs for higher efficiency in EVs, solar, and energy systems.

ROHM приступила к массовому производству своих SCT40xxDLL силиконовых карбидных MOSFET в упаковках TOLL, предлагающих на 39% более высокие тепловые характеристики по сравнению со стандартными упаковками TO-263-7L с рейтингом напряжения до 750 В и сопротивлением с 13 до 65 м. ROHM has started mass production of its SCT40xxDLL silicon carbide MOSFETs in TOLL packages, offering 39% better thermal performance than standard TO-263-7L packages, with up to 750V voltage rating and on-resistances from 13mΩ to 65mΩ. Разработанные для компактных, мощных приложений, таких как серверы ИИ, накопители энергии и солнечные инверторы, устройства имеют на 26% меньший объем и высоту 2,3 мм. Designed for compact, high-power applications like AI servers, energy storage, and solar inverters, the devices feature a 26% smaller footprint and 2.3mm height. Кроме того, с сентября 2025 года с помощью дистрибьюторов предоставляются модели моделирования. Available through distributors starting September 2025, simulation models are also provided. В то же время онсеми запустил 650В и 950В ЭлиСиЦ MOSFET в пакетах с верхним и верхним охлаждением T2Pak, что позволило обеспечить прямую теплосцепную связь для улучшения охлаждения, снижения температуры и повышения плотности энергии в электромобилях, солнечных и энергоаккумулирующих системах. Meanwhile, onsemi launched 650V and 950V ElieSiC MOSFETs in T2Pak top-cool packages, enabling direct heatsink coupling for improved cooling, reduced temperatures, and higher power density in electric vehicles, solar, and energy storage systems.