Toshiba запускает компактные, эффективные 650V SIC MOSFET, повышая плотность энергии в промышленных целях. Toshiba launches compact, efficient 650V SiC MOSFETs, boosting power density for industrial uses.

Toshiba ввела четыре новых карбида кремния 650 В (SiC) MOSFET в компактном пакете DFN8x8, снижая объем устройства более чем на 90% по сравнению с более старыми моделями. Toshiba has introduced four new 650V silicon carbide (SiC) MOSFETs in a compact DFN8x8 package, reducing device volume by over 90% compared to older models. Эти MOSFET, подходящие для промышленных применений, таких как источники питания и фотоэлектрические генераторы, значительно сокращают потери при коммутации и улучшают плотность мощности. These MOSFETs, suitable for industrial uses like power supplies and photovoltaic generators, significantly cut switching losses and improve power density. Тосиба стремится к повышению эффективности оборудования и повышению мощности с учетом этих достижений. Toshiba aims to enhance equipment efficiency and power capacity with these advancements.