Исследователи в Китае показали PoX, технологию флэш-памяти в 10 000 раз быстрее, чем текущие опции. Researchers in China unveil PoX, a flash memory tech 10,000 times faster than current options.

Исследователи Фуданского университета в Китае создали новую технологию вспыльчивой памяти под названием PoX, которая может хранить данные с беспрецедентной скоростью в 1 бит на 400 пикосекунд. Researchers at Fudan University in China have created a new flash memory technology called PoX, which can store data at an unprecedented speed of one bit per 400 picoseconds. Эта нелетающая память, способная хранить данные без энергии, примерно в 10 000 раз быстрее, чем нынешняя флэш-память, и значительно превышает традиционные летучие типы памяти, такие как SRAM и DRAM. This non-volatile memory, capable of retaining data without power, is about 10,000 times faster than current flash memory and significantly outperforms traditional volatile memory types like SRAM and DRAM. Инновации могут потенциально революционизировать решения по хранению в системах АИ и потребительской электронике, обеспечивая более быстрое функционирование и более низкое потребление энергии. The innovation could potentially revolutionize storage solutions in AI systems and consumer electronics, offering faster operation and lower power consumption.