Мичиганский университет возглавляет проект стоимостью 7,5 млн. долл. США по разработке современных теплостойких кремниевых карбидных полупроводников. University of Michigan leads a $7.5 million project to develop advanced heat-resistant silicon carbide semiconductors.

Мичиганский университет возглавляет проект стоимостью 7,5 млн. долл. США по разработке теплостойких кремниевых карбидов (СиК) с первоначальным финансированием в размере 2,4 млн. долл. США. The University of Michigan leads a $7.5 million project to develop heat-resistant silicon carbide (SiC) semiconductors, with initial funding of $2.4 million. Эта инициатива направлена на расширение масштабов технологии НАСА, с тем чтобы сделать дизайн микросхем SIC более доступным и расширить применение в аэрокосмической промышленности, обороне, возобновляемых источниках энергии и электромобилях. The initiative aims to scale up NASA's technology, making SiC chip design more accessible and advancing applications in aerospace, defense, renewable energy, and electric vehicles. К числу ключевых партнеров относятся НАСА, GE Aerospace, Ozark Integrated Circles и Wolfspeed. Key partners include NASA, GE Aerospace, Ozark Integrated Circuits, and Wolfspeed.