ROHM и TSMC сотрудничают в разработке силовых устройств GaN для электромобилей, используя передовые технологии производства. ROHM and TSMC partner to develop GaN power devices for electric vehicles, leveraging advanced manufacturing.

ROHM и TSMC создали партнерство для разработки устройств питания на основе нитрида галлия (GaN) для электромобилей. ROHM and TSMC have formed a partnership to develop gallium nitride (GaN) power devices for electric vehicles. GAN предлагает более высокие вольтные и высокочастотные свойства, чем кремний, который является ключом для компонентов ЭМ, таких как зарядные устройства и инверторы. GaN offers better high-voltage and high-frequency properties than silicon, which is key for EV components like chargers and inverters. Это сотрудничество сочетает технологию устройства ROHM с производственным процессом TSMC GAN, целью которого является стимулирование внедрения GAN в автомобильном секторе. This collaboration combines ROHM's device technology with TSMC's GaN manufacturing process, aiming to boost GaN's adoption in the automotive sector.