2024 IEDM: Kioxia демонстрирует OCTRAM, высокоскоростной Crosspoint MRAM и продвинутую трехмерную флешку. 2024 IEDM: Kioxia showcases OCTRAM, high-capacity Crosspoint MRAM, and advanced 3D flash memory.

Kioxia Corporation представит свои последние технологии полупроводниковой памяти на Международном совещании IEEE International Electronic Objects (2024) в Сан-Франциско. Kioxia Corporation will present its latest semiconductor memory technologies at the IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024 in San Francisco. Ключевые инновации включают в себя оксид-полупроводниковый канал транзистора DRAM (OCTRAM) для снижения энергопотребления, высокопроизводительный кросспойнт MRAM для расширенной обработки ИИ и продвинутую 3D-флеш-память для повышения надежности и производительности. Key innovations include Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM (OCTRAM) for reduced power consumption, high-capacity Crosspoint MRAM for enhanced AI processing, and advanced 3D flash memory for improved reliability and performance. Киоксиа стремится стимулировать прогресс в области хранения данных для поддержки цифровых трансформаций и ИИ. Kioxia aims to drive advancements in data storage to support digital transformation and AI.

October 21, 2024

6 Статьи