STMicroElectronics запускает технологии 4-го поколения SIC MOSFET для тяговых инверторов ЭМ, ориентируясь на энергоэффективность, плотность и надежность.

STMicroElectronics запустила свою технологию MOSFET четвертого поколения карбида кремния (SiC), направленную на повышение энергоэффективности, плотности и надежности тяговых инверторов электромобилей (ЭМ). Класс 750V является квалифицированным, при этом к 1 2025 году ожидается 1200V. Эта технология также способствует применению высоковольтных промышленных технологий, повышая производительность и снижая вес ЭМ. В 2027 году СТ планирует осуществить дальнейшие нововведения в целях массового внедрения электрической мобильности и устойчивости.

September 24, 2024
6 Статьи

Дополнительное чтение