STMicroElectronics запускает технологии 4-го поколения SIC MOSFET для тяговых инверторов ЭМ, ориентируясь на энергоэффективность, плотность и надежность. STMicroelectronics launches 4th-gen SiC MOSFET tech for EV traction inverters, targeting power efficiency, density, and robustness.

STMicroElectronics запустила свою технологию MOSFET четвертого поколения карбида кремния (SiC), направленную на повышение энергоэффективности, плотности и надежности тяговых инверторов электромобилей (ЭМ). STMicroelectronics has launched its fourth-generation silicon carbide (SiC) MOSFET technology, aimed at improving power efficiency, density, and robustness for electric vehicle (EV) traction inverters. Класс 750V является квалифицированным, при этом к 1 2025 году ожидается 1200V. The 750V class is qualified, with 1200V expected by Q1 2025. Эта технология также способствует применению высоковольтных промышленных технологий, повышая производительность и снижая вес ЭМ. The technology also supports high-power industrial applications, enhancing performance and reducing weight in EVs. В 2027 году СТ планирует осуществить дальнейшие нововведения в целях массового внедрения электрической мобильности и устойчивости. ST plans further innovations through 2027 to drive mass adoption of electric mobility and sustainability.