Shin-Etsu Chemical разработает 300-мм GaN субстрат для повышения производительности полупроводников. Shin-Etsu Chemical to develop 300-mm GaN substrate for enhanced semiconductor performance.

Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. разработает субстрат QSTTM, предназначенный для применения нитрида галлия (GaN) 300 мм. Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. is set to develop a QST™ substrate designed for 300-mm gallium nitride (GaN) applications. Это нововведение направлено на повышение эффективности и действенности полупроводниковых устройств, что отражает приверженность компании делу развития технологий в полупроводникном секторе. This innovation aims to enhance the performance and efficiency of semiconductor devices, reflecting the company's commitment to advancing technology in the semiconductor sector.