Vishay Intertechnology представит SiC MOSFET и полупроводниковые решения, включая серию MaxSiCTM на 1200 В, на выставке APEC 2024.

Vishay Intertechnology представит SiC MOSFET и полупроводниковые решения на выставке APEC 2024, включая серию MaxSiCTM на 1200 В. Будет изложена дорожная карта для SiC MOSFET с напряжением 650–1700 В и планы по выпуску продуктов автомобильного класса AEC-Q101. Платформа Vishay SiC основана на запатентованной технологии MOSFET и отвечает требованиям тяговых инверторов, фотоэлектрических накопителей энергии, бортовых зарядных устройств и зарядных станций.

February 26, 2024
4 Статьи

Дополнительное чтение